rf离子源/霍尔离子源/考夫曼离子源-凯发k8一触即发

high performance rf ion source with ion assisted evaporation rf射频/霍尔/考夫曼离子源

rf 离子源
为反应性工艺（例如高度控制的光学镀膜的离子束辅助沉积或离子束沉积）提供宽而均匀的离子束源。
在惰性和氧化环境中均能实现可靠一致的操作。
稳定高效的等离子体操作具有精确控制能力并允许高重复性。
非常适合于负载锁定生产工艺。
无极放电，寿命长，工作长时间稳定。
工作高度达1米。
离子能量及离子束流密度可以精确控制且变化范围大。

霍尔离子源
专为真空镀膜制程提供高射束电流，从而提高制程均匀性并防止基材受损，实现表面预清洁、辅助沉积及选择性蚀刻。
对需要高电流、低能量离子的应用非常有效。
高射束电流对于控制薄膜应力和化学计量特别有用。
离子能量发散，离子束发散，有较大均匀区。
离子能量低，离子束流密度较大。
结构简单，拆卸方便。

考夫曼离子源
离子能量，束密可精确控制，不受环境影响。
放气量小，污染较小。
工作温升低，可冷镀。